FLASH_ErasePage のバックアップ(No.2)

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FLASH_ErasePage へ行く。
- 1 (2011-03-10 (木) 17:40:14)
- 2 (2011-03-11 (金) 00:14:59)

FLASH_ErasePage †

フラッシュメモリの消去を行う。
フラッシュメモリの消去単位はページ単位のみである。
STM32の中容量デバイスの場合はフラッシュメモリの先頭番地から1Kバイト毎であり、0x08000000番地から0x080003FF番地までのフラッシュメモリが一つのページで、それ以降も同様。
先頭のページがPage0で、以降順番。
高容量デバイスの場合、ページの大きさは2Kバイト。
ページ単位より小さい単位での消去を行いたい場合は、一度ページ全体を読出し、消去の後、もう一度書き込む。
0x08000000番地から0x08003000番地を消去するとDFUが破壊される。
不用意に自分自身を破壊しないようにアドレスを選ぶ事。

FLASH_ErasePage

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ヘッダ宣言 †

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関数プロトタイプ †

FLASH_Status FLASH_ErasePage (uint32_t Page_Address )

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動作 †

フラッシュメモリのページを消去します。

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引数 †

Page_Address
消去するページをアドレスで指定。ページの先頭アドレスを推奨するが、中途のアドレスでも、そのアドレスを含むページ全体が消去される。

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戻り値 †

FLASH_Status
処理結果を返します
FLASH_BUSY ビジー(処理中)状態

FLASH_ERROR_PG プログラムエラー

FLASH_ERROR_WRP 書き込み保護状態

FLASH_COMPLETE 処理完了

FLASH_TIMEOUT タイムアウト(時間切れ)

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サンプル †

StartPageマクロのページから、PagesToWriteマクロのページ数分ページ消去する
FLASHStatusがFLASH_COMPLETE以外になった場合は中断する

 for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < PagesToWrite) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
{
	FLASHStatus = FLASH_ErasePage(FlashBaseAddr + (StartPage * FLASH_PAGE_SIZE) + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
	cprintf(“.”);
}

↑

参照 †

初期化(RCC_Configuration?)
FLASH_PrefetchBufferCmd→FLASH_SetLatency
一般的な書き込み方法
FLASH_Unlock→FLASH_ClearFlag→FLASH_ErasePage→FLASH_ProgramWord→FLASH_Lock

FLASH_BUSY	ビジー(処理中)状態
FLASH_ERROR_PG	プログラムエラー
FLASH_ERROR_WRP	書き込み保護状態
FLASH_COMPLETE	処理完了
FLASH_TIMEOUT	タイムアウト(時間切れ)